导师名录
宋春燕 副教授-硕士生导师
发布时间：

2020-12-08

浏览量：

4849

文章来源：

yl6809永利官网


宋春燕

 

 

 

 



 

   E-mail:

 


 

    chunyansong@shzu.edu.cn


 

 


 

基本信息

性别

女

出生年月

1981.9

民族

汉族

 


 

 

北京大学

博士学位

2015.09-2019.06



 

 

物yl6809永利官网

专业：凝聚态物理



  

工作经历

yl6809永利官网

副教授，硕士生导师

2005.08-至今     



 

 

yl6809永利官网

专业方向：宽禁带半导体



 

主要业绩

研究宽禁带半导体材料中的杂质缺陷与控制，GaN基半导体功率电子器件研制与器件物理，



 

 

包括材料物性分析、缺陷物理、理论计算模拟和外延生长等。近年来发表物理学术期刊SCI论文10余篇，授权专利1件，参编教材2部，主持国家自然科学青年基金1项、参与负责完成国家自然科学新疆联合基金1项、作为负责和主要参与yl6809永利官网高层次人才项目3项，主持完成校级及院级课程思政项目2项，主持校级教育教学改革项目1项，主要参与课程思政及过程性改革项目4项。



 

研究方向

(1) 宽禁带半导体物理、材料与器件



 

 

(2) 材料缺陷理论计算



 

在研项目

(1)《缓冲层碳杂质影响氮化镓外延薄膜可靠性的机理研究》



 

 

青年科学基金项目，2022.01-2024.12，30万。（主持）



 

 

(2)《石蜡/蛭石复合定形相变储能材料的稳定性与强化传热机制研究》

国家自然科学基金项目，2019.01-2021.12, 56万。（乙方负责人）



 

 

(3)《缓冲层碳浓度影响GaN基功率电子器件可靠性的机理研究》

yl6809永利官网高层次人才科研启动资金专项，2020.6-2023.6, 10万。（主持）



 

 



 

发表文章

◎ 近5年以第一/通讯作者身份发表的论文



 

 

(1) Chunyansong, Hui Liao, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Weicheng Cao. The role of point defects related with carbon impurity on the kink of log J-V in GaN-on-Si epitaxial layers, Nanotechnology, 2022, 33, 495702.



 

 

(2) ChunyanSong, XuelinYang*, DingWang, PanfengJi, ShanWu, Yue Xu, MaojunWang, BoShen*. The effect of kink and vertical leakage mechanisms in GaN-on-Si epitaxial layers, Semicond.Sci.Technol, 2020, 35, 085015.



 

 

(3) Chunyan Song, Xuelin Yang*, Panfeng Ji, Jun Tang, Shan Wu, Yue Xu, Ali Imran, Maojun Wang, Zhijian Yang, Fujun Xu, Xinqiang Wang, Weikun Ge, Bo Shen*. Impact of Silicon Substrate with Low Resistivity on Vertical Leakage Current inAlGaN/GaN HEMTs, Appl. Sci., 2019, 9, 2373.



 

 

(4) Anqi Hu,Chunyan Song#, Xuelin Yang*, Xiaoying He, Bo Shen*, Xia Guo*. Role of hole trapping in the unintentionally doped GaN layer in suppressing thetwo-dimensional electron gas degradation in AlGaN/GaN heterostructures on Si. Nanotechnology, 2019, 30, 314002.(共同一作)



 

 

(5) Chunyan Song, Xuelin Yang* , Panfeng Ji, Jun Tang, Anqi Hu, Yuxia Feng, Wei Lin, Weikun Ge, Zhijian Yang, Fujun Xu, Bo Shen*. Role of electroninjection on vertical leakage in GaN-on-Si epitaxial layers, Superlattices andMicrostructures, 2019, 128, 199-203.



 

 

(6) A. Q. Hu, X. L. Yang, J. P. Cheng, C. Y. Song, S. Wu, J. Zhang, Y. X. Feng, P. F. Ji, N. Tang, W. K. Ge, X. Q. Wang, and B. Shen. Evidence of vertical leakage induced current degradation and identification of traps with large lattice relaxation in AlGaN/GaN heterostructures on Si. Applied Physics Letters, 2018, 112, 032104.



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宋春燕 副教授-硕士生导师
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宋春燕

 

 

 

 



 

   E-mail:

 


 

    chunyansong@shzu.edu.cn


 

 


 

基本信息

性别

女

出生年月

1981.9

民族

汉族

 


 

 

北京大学

博士学位

2015.09-2019.06



 

 

物yl6809永利官网

专业：凝聚态物理



  

工作经历

yl6809永利官网

副教授，硕士生导师

2005.08-至今     



 

 

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专业方向：宽禁带半导体



 

主要业绩

研究宽禁带半导体材料中的杂质缺陷与控制，GaN基半导体功率电子器件研制与器件物理，



 

 

包括材料物性分析、缺陷物理、理论计算模拟和外延生长等。近年来发表物理学术期刊SCI论文10余篇，授权专利1件，参编教材2部，主持国家自然科学青年基金1项、参与负责完成国家自然科学新疆联合基金1项、作为负责和主要参与yl6809永利官网高层次人才项目3项，主持完成校级及院级课程思政项目2项，主持校级教育教学改革项目1项，主要参与课程思政及过程性改革项目4项。



 

研究方向

(1) 宽禁带半导体物理、材料与器件



 

 

(2) 材料缺陷理论计算



 

在研项目

(1)《缓冲层碳杂质影响氮化镓外延薄膜可靠性的机理研究》



 

 

青年科学基金项目，2022.01-2024.12，30万。（主持）



 

 

(2)《石蜡/蛭石复合定形相变储能材料的稳定性与强化传热机制研究》

国家自然科学基金项目，2019.01-2021.12, 56万。（乙方负责人）



 

 

(3)《缓冲层碳浓度影响GaN基功率电子器件可靠性的机理研究》

yl6809永利官网高层次人才科研启动资金专项，2020.6-2023.6, 10万。（主持）



 

 



 

发表文章

◎ 近5年以第一/通讯作者身份发表的论文



 

 

(1) Chunyansong, Hui Liao, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Weicheng Cao. The role of point defects related with carbon impurity on the kink of log J-V in GaN-on-Si epitaxial layers, Nanotechnology, 2022, 33, 495702.



 

 

(2) ChunyanSong, XuelinYang*, DingWang, PanfengJi, ShanWu, Yue Xu, MaojunWang, BoShen*. The effect of kink and vertical leakage mechanisms in GaN-on-Si epitaxial layers, Semicond.Sci.Technol, 2020, 35, 085015.



 

 

(3) Chunyan Song, Xuelin Yang*, Panfeng Ji, Jun Tang, Shan Wu, Yue Xu, Ali Imran, Maojun Wang, Zhijian Yang, Fujun Xu, Xinqiang Wang, Weikun Ge, Bo Shen*. Impact of Silicon Substrate with Low Resistivity on Vertical Leakage Current inAlGaN/GaN HEMTs, Appl. Sci., 2019, 9, 2373.



 

 

(4) Anqi Hu,Chunyan Song#, Xuelin Yang*, Xiaoying He, Bo Shen*, Xia Guo*. Role of hole trapping in the unintentionally doped GaN layer in suppressing thetwo-dimensional electron gas degradation in AlGaN/GaN heterostructures on Si. Nanotechnology, 2019, 30, 314002.(共同一作)



 

 

(5) Chunyan Song, Xuelin Yang* , Panfeng Ji, Jun Tang, Anqi Hu, Yuxia Feng, Wei Lin, Weikun Ge, Zhijian Yang, Fujun Xu, Bo Shen*. Role of electroninjection on vertical leakage in GaN-on-Si epitaxial layers, Superlattices andMicrostructures, 2019, 128, 199-203.



 

 

(6) A. Q. Hu, X. L. Yang, J. P. Cheng, C. Y. Song, S. Wu, J. Zhang, Y. X. Feng, P. F. Ji, N. Tang, W. K. Ge, X. Q. Wang, and B. Shen. Evidence of vertical leakage induced current degradation and identification of traps with large lattice relaxation in AlGaN/GaN heterostructures on Si. Applied Physics Letters, 2018, 112, 032104.



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